一種植入式多功能腦監(jiān)測(cè)器件,自上到下依次包括上封裝層、兩層壓力敏感薄膜、第一絕緣層、磁感線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)、第二絕緣層、電極導(dǎo)通層和下封裝層;兩層壓力敏感薄膜之間為多層電極結(jié)構(gòu);


微電極陣列穿過(guò)下封裝層與電極導(dǎo)通層連接。

微電極陣列制備:采用Mo金屬作為測(cè)量電極陣列與連接電極材料,并通過(guò)兩次磁控濺射法進(jìn)行分別制備。首先對(duì)第二絕緣層表面進(jìn)行旋涂光刻膠、采用留有電極點(diǎn)位的掩模版進(jìn)行曝光、顯影與離子刻蝕,采用磁控濺射法在絕緣層表面沉積一層厚度為50μm的Mo金屬薄膜,并去除多余的光刻膠,得到六個(gè)直徑為200μm的獨(dú)立測(cè)量電極位點(diǎn)。對(duì)所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行采用與上述流程相類(lèi)似的處理,并采用留有圖案化電極的掩模版進(jìn)行光刻顯影與刻蝕加工,采用離子濺射法沉積一層厚度為200nm的Mo金屬薄膜,并去除多余光刻膠,即可得到完整的腦電測(cè)量電極結(jié)構(gòu)。


雙層壓力敏感薄膜與電極導(dǎo)通層組成壓力敏感結(jié)構(gòu),用于采集顱內(nèi)壓信號(hào);磁感線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)由Fe/Zn圖案化,用于向體外上位機(jī)系統(tǒng)傳輸采集到的信號(hào);微電極陣列具有6個(gè)測(cè)量位點(diǎn),用于采集腦電信號(hào)。


第一絕緣層位于兩層壓力敏感薄膜、磁感線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)、之間,第二絕緣層位于磁感線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)、電極導(dǎo)通層之間,用于避免不同器件層之間發(fā)生短路,并具有連接通孔。


微電極陣列與壓力敏感結(jié)構(gòu)電路通過(guò)絕緣層上的連接通孔與磁感線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)電路連接,用于將所測(cè)信號(hào)傳導(dǎo)至磁感線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)進(jìn)行信號(hào)傳輸。下封裝層上具有預(yù)留的通孔結(jié)構(gòu),其與微電極陣列測(cè)量點(diǎn)位相配合,使點(diǎn)位暴露在器件外,從而與大腦皮層表面相接觸。